SQJ204EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
型号
SQJ204EP-T1_GE3
制造商/品牌
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件状态
Active
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大
27W (Tc), 48W (Tc)
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20nC @ 10V, 50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
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