SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
型号
SQJ200EP-T1_GE3
制造商/品牌
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Digi-Reel®
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大
27W, 48W
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
20A, 60A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
975pF @ 10V
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