SIZF906ADT-T1-GE3
MOSFET DUEL N-CHAN 30V
型号
SIZF906ADT-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerWDFN
功率 - 最大
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
供应商器件封装
8-PowerPair® (6x5)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual), Schottky
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
49nC @ 10V, 200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
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