SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
型号
SIZF300DT-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
Active
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerWDFN
功率 - 最大
3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
供应商器件封装
8-PowerPair® (6x5)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
22nC @ 10V, 62nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
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