图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
LN60A01ES-LF-Z

LN60A01ES-LF-Z

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
型号
LN60A01ES-LF-Z
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-20°C ~ 125°C (TJ)
安装类型
-
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
1.3W
供应商器件封装
8-SOIC
场效应晶体管类型
3 N-Channel, Common Gate
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
80mA
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
190 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 2762329346@qq.com,我们将尽快回复。
有货 41395 PCS
联系信息
关键词 LN60A01ES-LF-Z
LN60A01ES-LF-Z 电子元件
LN60A01ES-LF-Z 销售
LN60A01ES-LF-Z 供应商
LN60A01ES-LF-Z 分销商
LN60A01ES-LF-Z 数据表
LN60A01ES-LF-Z 图片
LN60A01ES-LF-Z 报价
LN60A01ES-LF-Z 提供
LN60A01ES-LF-Z 最低价格
LN60A01ES-LF-Z 搜索
LN60A01ES-LF-Z 购买
LN60A01ES-LF-Z 芯片