LN60A01EP-LF
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
型号
LN60A01EP-LF
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
工作温度
-20°C ~ 125°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
8-DIP (0.300", 7.62mm)
功率 - 最大
1.3W
供应商器件封装
8-PDIP
场效应晶体管类型
3 N-Channel, Common Gate
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
80mA
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
190 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
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