IPG16N10S4L61AATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
型号
IPG16N10S4L61AATMA1
制造商/品牌
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
功率 - 最大
29W
供应商器件封装
PG-TDSON-8-10
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
16A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
61 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.1V @ 90µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
845pF @ 25V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 2762329346@qq.com，我们将尽快回复。
有货 39865 PCS
联系信息
相关产品
关键词 IPG16N10S4L61AATMA1
IPG16N10S4L61AATMA1 电子元件
IPG16N10S4L61AATMA1 销售
IPG16N10S4L61AATMA1 供应商
IPG16N10S4L61AATMA1 分销商
IPG16N10S4L61AATMA1 数据表
IPG16N10S4L61AATMA1 图片
IPG16N10S4L61AATMA1 报价
IPG16N10S4L61AATMA1 提供
IPG16N10S4L61AATMA1 最低价格
IPG16N10S4L61AATMA1 搜索
IPG16N10S4L61AATMA1 购买
IPG16N10S4L61AATMA1 芯片
×
![]()