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IPG15N06S3L-45

IPG15N06S3L-45

MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
型号
IPG15N06S3L-45
制造商/品牌
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
功率 - 最大
21W
供应商器件封装
PG-TDSON-8-4
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
55V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
15A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
45 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.2V @ 10µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1420pF @ 25V
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