SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
型号
SIZ200DT-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
Active
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerWDFN
功率 - 最大
4.3W (Ta), 33W (Tc)
供应商器件封装
8-PowerPair® (3.3x3.3)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
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