SISH112DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK
型号
SISH112DN-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® 1212-8SH
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SH
功率耗散（最大）
1.5W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
11.3A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
7.5 mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
27nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2610pF @ 15V
电压 (最大值)
±12V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
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