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SI5504BDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
型号
SI5504BDC-T1-E3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Digi-Reel®
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SMD, Flat Lead
功率 - 最大
3.12W, 3.1W
供应商器件封装
1206-8 ChipFET™
场效应晶体管类型
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4A, 3.7A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
220pF @ 15V
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SI5504BDC-T1-E3 电子元件
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