HCT7000MTX
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
型号
HCT7000MTX
系列
-
零件状态
Active
包装
Bulk
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
3-SMD, No Lead
供应商器件封装
3-SMD
功率耗散（最大）
300mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
200mA (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
60pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±40V
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