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TK25V60X,LQ

TK25V60X,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
型号
TK25V60X,LQ
系列
DTMOSIV-H
零件状态
Active
包装
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
4-VSFN Exposed Pad
供应商器件封装
4-DFN-EP (8x8)
功率耗散(最大)
180W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
25A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
135 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
3.5V @ 1.2mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2400pF @ 300V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
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