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TK20G60W,RVQ

数据表

TK20G60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 20A D2PAK

型号

TK20G60W,RVQ

制造商/品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

DTMOSIV

零件状态

Discontinued at Digi-Key

包装

Cut Tape (CT)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装

D2PAK

功率耗散（最大）

165W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

Super Junction

漏源电压 (Vdss)

600V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

20A (Ta)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

155 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

3.7V @ 1mA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

48nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1680pF @ 300V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±30V

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