MT3S111(TE85L,F)
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
噪声系数 (dB 典型值 @ f)
1.2dB @ 1GHz
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