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STW30N80K5

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STW30N80K5

MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3

型号

STW30N80K5

制造商/品牌

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ K5

零件状态

Active

包装

Tube

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/箱体

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247-3

功率耗散（最大）

250W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

800V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

24A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

180 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

5V @ 100µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

43nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1530pF @ 100V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±30V

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