STLD125N4F6AG
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
型号
STLD125N4F6AG
制造商/品牌
系列
STripFET™ F6
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerSMD, Flat Leads
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6) dual side
功率耗散（最大）
130W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
120A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
91nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5600pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
6.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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