TT8M1TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
型号
TT8M1TR
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SMD, Flat Lead
功率 - 最大
1W
供应商器件封装
8-TSST
场效应晶体管类型
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2.5A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
72 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
260pF @ 10V
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