图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
2SJ162-E

2SJ162-E

MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
型号
2SJ162-E
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
功率耗散(最大)
100W (Tc)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
160V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
7A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
-
Vgs(th)(最大值)@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
900pF @ 10V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±15V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 2762329346@qq.com,我们将尽快回复。
有货 22133 PCS
联系信息
关键词 2SJ162-E
2SJ162-E 电子元件
2SJ162-E 销售
2SJ162-E 供应商
2SJ162-E 分销商
2SJ162-E 数据表
2SJ162-E 图片
2SJ162-E 报价
2SJ162-E 提供
2SJ162-E 最低价格
2SJ162-E 搜索
2SJ162-E 购买
2SJ162-E 芯片