FJ4B01110L1
CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET
型号
FJ4B01110L1
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
4-XFLGA, CSP
供应商器件封装
ALGA004-W-0606-RA01
功率耗散（最大）
340mW (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
漏源电压 (Vdss)
12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
1.4A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
153 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 598µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
226pF @ 10V
电压 (最大值)
±8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.5V, 4.5V
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