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FCA20N60

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FCA20N60

MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P

型号

FCA20N60

制造商/品牌

ON Semiconductor

系列

SuperFET™

零件状态

Not For New Designs

包装

Tube

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/箱体

TO-3P-3, SC-65-3

供应商器件封装

TO-3PN

功率耗散（最大）

208W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

600V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

20A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

190 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

5V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

98nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

3080pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±30V

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