PHM15NQ20T,518
MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON
型号
PHM15NQ20T,518
制造商/品牌
系列
TrenchMOS™
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装
8-HVSON (6x5)
功率耗散（最大）
62.5W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
17.5A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
85 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2170pF @ 30V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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