PHK18NQ03LT,518
MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
型号
PHK18NQ03LT,518
制造商/品牌
系列
TrenchMOS™
零件状态
Last Time Buy
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
功率耗散（最大）
6.25W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
20.3A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
8.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.15V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
10.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1380pF @ 12V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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