PH8230E,115
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
型号
PH8230E,115
制造商/品牌
系列
TrenchMOS™
零件状态
Discontinued at Digi-Key
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SC-100, SOT-669
供应商器件封装
LFPAK56, Power-SO8
功率耗散（最大）
62.5W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
67A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
8.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1400pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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