NX1029X,115
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
330mA, 170mA
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
7.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.35nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
36pF @ 25V
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