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BSP110,115

BSP110,115

MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
型号
BSP110,115
制造商/品牌
系列
TrenchMOS™
零件状态
Obsolete
包装
Digi-Reel®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223
功率耗散(最大)
6.25W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
520mA (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
10 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
40pF @ 10V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
5V
电压 (最大值)
±20V
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