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APL502B2G

APL502B2G

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
型号
APL502B2G
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3 Variant
供应商器件封装
T-MAX™ [B2]
功率耗散(最大)
730W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
500V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
58A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
90 mOhm @ 29A, 12V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 2.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
9000pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
15V
电压 (最大值)
±30V
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