VP3203N3-G
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
型号
VP3203N3-G
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Bulk
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装
TO-92-3
功率耗散（最大）
740mW (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
650mA (Tj)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.5V @ 10mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
300pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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