SI2300-TP
N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
型号
SI2300-TP
制造商/品牌
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23
功率耗散（最大）
1W
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4.5A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
25 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
900mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
4.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
482pF @ 10V
电压 (最大值)
±10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
2.5V, 4.5V
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