MCCD2005-TP
MOSFET 2N-CH 20V 8A
型号
MCCD2005-TP
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-WFDFN Exposed Pad
功率 - 最大
-
供应商器件封装
DFN2030-6
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
8A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
13 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1800pF @ 10V
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