IRG7CH30K10EF
IGBT CHIP WAFER
型号
IRG7CH30K10EF
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
-
输入类型
Standard
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
功率 - 最大
-
供应商器件封装
Die
反向恢复时间 (trr)
-
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
10A
电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）
1200V
IGBT类型
Trench
Vce(on)（最大值）@Vge，Ic
2.56V @ 15V, 10A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
-
转换能源
-
栅极电荷
4.8nC
Td（开/关）@25°C
10ns/90ns
测试条件
600V, 10A, 22 Ohm, 15V
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