HTNFET-DC
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
型号
HTNFET-DC
系列
HTMOS™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-
安装类型
Through Hole
封装/箱体
8-CDIP Exposed Pad
供应商器件封装
-
功率耗散（最大）
50W (Tj)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
55V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
-
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.4V @ 100µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
4.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
290pF @ 28V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
5V
电压 (最大值)
10V
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