CAS100H12AM1
MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
型号
CAS100H12AM1
制造商/品牌
系列
Z-FET™
零件状态
Obsolete
包装
Bulk
工作温度
-
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
功率 - 最大
568W
供应商器件封装
Module
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
168A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
20 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.1V @ 50mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
9500pF @ 800V
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