TPCF8A01(TE85L)
MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
型号
TPCF8A01(TE85L)
系列
U-MOSIII
零件状态
Obsolete
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装
VS-8 (2.9x1.5)
功率耗散（最大）
330mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
Schottky Diode (Isolated)
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.2V @ 200µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
590pF @ 10V
电压 (最大值)
±12V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
2V, 4.5V
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