TPCC8A01-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
型号
TPCC8A01-H(TE12LQM
系列
U-MOSV-H
零件状态
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-TSON Advance (3.3x3.3)
功率耗散（最大）
700mW (Ta), 30W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
21A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
9.9 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.3V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1900pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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