TPCC8093,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
型号
TPCC8093,L1Q
系列
U-MOSVII
零件状态
Active
包装
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-TSON Advance (3.3x3.3)
功率耗散（最大）
1.9W (Ta), 30W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
21A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.2V @ 500µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
16nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1860pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
2.5V, 4.5V
电压 (最大值)
±12V
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