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TK12P60W,RVQ

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TK12P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK

型号

TK12P60W,RVQ

制造商/品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

DTMOSIV

零件状态

Active

包装

Tape & Reel (TR)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装

DPAK

功率耗散（最大）

100W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

Super Junction

漏源电压 (Vdss)

600V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

11.5A (Ta)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

340 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

3.7V @ 600µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

25nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

890pF @ 300V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±30V

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