SSM3J36MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
型号
SSM3J36MFV,L3F
系列
U-MOSIII
零件状态
Discontinued at Digi-Key
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-723
供应商器件封装
VESM
功率耗散（最大）
150mW (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
330mA (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.2nC @ 4V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
43pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.5V, 4.5V
电压 (最大值)
±8V
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