SSM3J108TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
型号
SSM3J108TU(TE85L)
系列
U-MOSIII
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
3-SMD, Flat Leads
供应商器件封装
UFM
功率耗散（最大）
500mW (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
1.8A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
158 mOhm @ 800mA, 4V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
250pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.8V, 4V
电压 (最大值)
±8V
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