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2SK2866(F)

2SK2866(F)

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB
型号
2SK2866(F)
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Bulk
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
功率耗散(最大)
125W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2040pF @ 10V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
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