TSM250N02DCQ RFG
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
型号
TSM250N02DCQ RFG
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-VDFN Exposed Pad
功率 - 最大
620mW
供应商器件封装
6-TDFN (2x2)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
5.8A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
800mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
775pF @ 10V
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