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GKI06109

GKI06109

MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
型号
GKI06109
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN (5x6)
功率耗散(最大)
3.1W (Ta), 59W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
9A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
8.9 mOhm @ 23.6A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 650µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
38.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2520pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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