FDC6320C
MOSFET N/P-CH 25V SSOT6
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
220mA, 120mA
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
9.5pF @ 10V
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