PSMN0R9-30ULDX
MOSFET N-CH 30V 300A 56LFPAK
型号
PSMN0R9-30ULDX
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-1023, 4-LFPAK
供应商器件封装
LFPAK56, Power-SO8
功率耗散（最大）
227W (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
300A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
870 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.2V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
109nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
7668pF @ 15V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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