PSMN018-100ESFQ
MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK
型号
PSMN018-100ESFQ
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3, Short Tab
供应商器件封装
I2PAK
功率耗散（最大）
111W (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
53A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
18 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
21.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1482pF @ 50V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
7V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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