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PMV65XP/MIR

PMV65XP/MIR

MOSFET P-CH 20V SOT23
型号
PMV65XP/MIR
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Last Time Buy
包装
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
TO-236AB
功率耗散(最大)
480mW (Ta), 4.17W (Tc)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2.8A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
74 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id
900mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
744pF @ 20V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
1.8V, 4.5V
电压 (最大值)
±12V
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