购买 Nexperia USA Inc. PMV45EN2VL MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB - 益茂讯

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PMV45EN2VL

MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB

型号

PMV45EN2VL

制造商/品牌

Nexperia USA Inc.

系列

TrenchMOS™

零件状态

Active

包装

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装

TO-236AB

功率耗散（最大）

510mW (Ta)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

30V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

5.1A (Ta)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

42 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

2V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

6.3nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

209pF @ 15V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

4.5V, 10V

电压 (最大值)

±20V

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