PMCM650VNEZ
MOSFET N-CH 12V 4WLCSP
型号
PMCM650VNEZ
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-XFBGA, WLCSP
供应商器件封装
6-WLCSP (1.48x.98)
功率耗散（最大）
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6.4A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
25 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
900mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1060pF @ 6V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V
电压 (最大值)
±8V
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