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MG1275S-BA1MM

MG1275S-BA1MM

IGBT 1200V 105A 630W PKG S
型号
MG1275S-BA1MM
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
S-3 Module
功率 - 最大
630W
配置
Half Bridge
供应商器件封装
S3
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
105A
电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
1200V
电流 - 集电极截止(最大值)
500µA
IGBT类型
-
Vce(on)(最大值)@Vge,Ic
1.8V @ 15V, 75A (Typ)
输入电容 (Cies) @ Vce
5.52nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻
No
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