IRF9952TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
型号
IRF9952TRPBF
制造商/品牌
系列
HEXFET®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
2W
供应商器件封装
8-SO
场效应晶体管类型
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3.5A, 2.3A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
190pF @ 15V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 2762329346@qq.com，我们将尽快回复。
有货 27554 PCS
联系信息
相关产品
关键词 IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF 电子元件
IRF9952TRPBF 销售
IRF9952TRPBF 供应商
IRF9952TRPBF 分销商
IRF9952TRPBF 数据表
IRF9952TRPBF 图片
IRF9952TRPBF 报价
IRF9952TRPBF 提供
IRF9952TRPBF 最低价格
IRF9952TRPBF 搜索
IRF9952TRPBF 购买
IRF9952TRPBF 芯片
×
![]()